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| 新思科技与三星合作加速推广变革性3 nm GAA技术 | |
| 引用本文： | 侯浩大.新思科技与三星合作加速推广变革性3 nm GAA技术[J].计算机与网络,2021,47(14). |
| 作者姓名： | 侯浩大 |
| 摘 要： | 新思科技近日宣布,其Fusion Design Platform已支持三星晶圆厂实现一款先进高性能多子系统片上系统(SoC)一次性成功流片,验证了下一代3 nm环绕式栅极(GAA)工艺技术在功耗、性能和面积方面的优势.此次流片成功是新思科技和三星之间广泛合作的成果,旨在加快提供高度优化的参考方法学,实现全新3D晶体管架构所固有的卓越功耗和性能. |
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