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28nm工艺低压差线性稳压器(LDO)设计
引用本文:宋圣宇,陈建军,文溢,邢海源,李梦姿,郭阳.28nm工艺低压差线性稳压器(LDO)设计[J].计算机与数字工程,2019,47(11).
作者姓名:宋圣宇  陈建军  文溢  邢海源  李梦姿  郭阳
作者单位:国防科技大学计算机学院 长沙 410000;国防科技大学计算机学院 长沙 410000;国防科技大学计算机学院 长沙 410000;国防科技大学计算机学院 长沙 410000;国防科技大学计算机学院 长沙 410000;国防科技大学计算机学院 长沙 410000
基金项目:国家自然科学基金;国家自然科学基金
摘    要:

关 键 词:低压差线性稳压器  带隙基准电路  28nm工艺  温度系数  低功耗低噪声
本文献已被 万方数据 等数据库收录!
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