| 高介电常数介质RF MEMS开关的制作研究 |
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| 引用本文： | 雷啸锋,刘泽文,宣云,李志坚,刘理天.高介电常数介质RF MEMS开关的制作研究[J].测控技术,2004,23(3):7-9. |
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| 作者姓名： | 雷啸锋 刘泽文 宣云 李志坚 刘理天 |
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| 作者单位： | 清华大学,微电子所,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 介绍了一种电容式MEMS开关的制作工艺.所有的步骤都采用表面微加工工艺完成.其中,区别于常规采用的SixNy薄膜,笔者采用了高介电常数的Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)铁电薄膜作为开关的介电层,使"开""关"状态电容比值大大提高,开关的插入损耗和隔离度性能得到提高.在制作工艺上,采用正胶作为牺牲层,并用发烟硝酸进行释放,获得了较好的效果.最终,制备了一种高性能的电容式MEMS开关.
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| 关 键 词： | 射频 微机械 BST 开关 介电常数介质 RF MEMS Switch 开关 制作研究 Layer Dielectric High k Materials 高性能 效果 发烟硝酸 牺牲层 正胶 隔离度 插入损耗 比值 电容式 状态 介电层 铁电薄膜 高介电常数 |
| 文章编号： | 1000-8829(2004)03-0007-03 |
| 修稿时间： | 2003年11月20日 |
Fabrication of a RF MEMS Switch Using High k Materials as Dielectric Layer |
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