| 存在气泡缺陷的盆式绝缘子电场仿真分析 |
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| 引用本文： | 何柏娜,孔杰,宁家兴,王珍珍,王乐淼,颉雅迪,黄桂春.存在气泡缺陷的盆式绝缘子电场仿真分析[J].绝缘材料,2019,52(5):86-92. |
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| 作者姓名： | 何柏娜 孔杰 宁家兴 王珍珍 王乐淼 颉雅迪 黄桂春 |
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| 作者单位： | 山东理工大学 电气与电子工程学院,山东 淄博,255000;山东理工大学 电气与电子工程学院,山东 淄博,255000;山东理工大学 电气与电子工程学院,山东 淄博,255000;山东理工大学 电气与电子工程学院,山东 淄博,255000;山东理工大学 电气与电子工程学院,山东 淄博,255000;山东理工大学 电气与电子工程学院,山东 淄博,255000;山东理工大学 电气与电子工程学院,山东 淄博,255000 |
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| 基金项目： | 山东省自然科学基金项目 |
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| 摘 要： | 盆式绝缘子内部存在气泡缺陷是引起局部放电和沿面闪络的重要因素,为研究气泡对盆式绝缘子电场分布的影响,采用ANSYS有限元分析软件建立存在气泡缺陷的盆式绝缘子三维仿真模型,分别研究快速暂态过电压和工频电压作用下,气泡大小、位置对盆式绝缘子电场分布及沿面闪络的影响。结果表明:气泡缺陷会引起盆式绝缘子电场畸变,最大电场强度比无气泡缺陷时增大了30%左右,且气泡越靠近金属端,盆式绝缘子电场强度越大。电场畸变主要出现在气泡缺陷附近,畸变程度与气泡尺寸、径向距离及距表面的距离有关。
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| 关 键 词： | 盆式绝缘子 气体绝缘组合电器 快速暂态过电压 气泡缺陷 |
Electric Field Simulation Analysis of Basin-type Insulator with Bubble Defects |
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| HE Baina,KONG Jie,NING Jiaxing,WANG Zhenzhen,WANG Lemiao,XIE Yadi,HUANG Guichun.Electric Field Simulation Analysis of Basin-type Insulator with Bubble Defects[J].Insulating Materials,2019,52(5):86-92. |
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| Authors: | HE Baina KONG Jie NING Jiaxing WANG Zhenzhen WANG Lemiao XIE Yadi HUANG Guichun |
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| Affiliation: | (College of Electric and Electronic Engineering, Shandong University of Technology, Zibo 255000, China) |
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| Abstract: | HE Baina;KONG Jie;NING Jiaxing;WANG Zhenzhen;WANG Lemiao;XIE Yadi;HUANG Guichun(College of Electric and Electronic Engineering, Shandong University of Technology, Zibo 255000, China) |
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| Keywords: | basin-type insulator GIS very fast transient overvoltage bubble defect |
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