| IGBT变电阻开通策略的研究 |
| |
| 引用本文： | 李武杰,程善美,孙得金.IGBT变电阻开通策略的研究[J].电力电子技术,2014,48(11). |
| |
| 作者姓名： | 李武杰 程善美 孙得金 |
| |
| 作者单位： | 1. 华中科技大学,自动化学院,湖北武汉430074
2. 武汉征原电气有限公司,湖北武汉,430012 |
| |
| 摘 要： | 提出了一种新的驱动策略来改善绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的开通特性。将短路检测与变电阻开通结合,根据实际情况选择两级变电阻或三级变电阻开通IGBT,同时研究了不同变电阻方式下门极电阻切换的时刻。实验结果验证了该策略既有三级变电阻开通的优势,又能保证在Ⅰ类短路的情况下集电极电流的变化率不至于过大而损坏IGBT。
|
| 关 键 词： | 绝缘栅双极型晶体管 变电阻开通 短路检测 |
Research on Variable Turn-on Resistors Tactics for IGBT |
| |
| LI Wu-jie,CHENG Shan-mei,SUN De-jin.Research on Variable Turn-on Resistors Tactics for IGBT[J].Power Electronics,2014,48(11). |
| |
| Authors: | LI Wu-jie CHENG Shan-mei SUN De-jin |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | insulated gete bipolar transistor variable gate on resistors short circuit detect |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
