|
|||||
|
|
| 绝缘栅双极晶体管模块过电应力的研究 | |
| 引用本文： | 吴武臣.绝缘栅双极晶体管模块过电应力的研究[J].电力电子技术,1998,32(2):87-89. |
| 作者姓名： | 吴武臣 |
| 作者单位： | 北京工业大学，苏黎世工业大学 |
| 摘 要： | 通过频率试验和阻断电压试验，研究了过电应力对ＩＧＢＴ模块的影响；利用扫描电镜（ＳＥＭ）和液液晶（ＬＣ）技术，对失效模块的失效机理进行了分析；报道了试验结果及失效分析结果。 |
| 关 键 词： | IGBT 双极性晶体管 模块 过电应力 |
Research on Electrical Overstress on IGBT Module |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | power semiconductor device IGBT module EOS |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
