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| IGBT的过流保护 | |
| 引用本文： | 王正仕,吴益良.IGBT的过流保护[J].电力电子技术,1996,30(3):70-73,102. |
| 作者姓名： | 王正仕 吴益良 |
| 作者单位： | 浙江大学 |
| 摘 要： | 根据器件及其应用情况，介绍了ＩＧＢＴ过流保护的特点；提出了综合保护方法；进行了过流保护试验，并给出了实验波形。结果表明，ＩＧＢＴ在其额定容量的３倍过流情况下得到了可靠保护。文中还叙述了过流保护的抗干扰措施。 |
| 关 键 词： | 电力半导体器件 过电流保护 晶体管 |
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