| C波段低噪声放大器的设计 |
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| 引用本文： | 张海拓,郭俊栋,周以国.C波段低噪声放大器的设计[J].电子测量技术,2007,30(11):10-13,208. |
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| 作者姓名： | 张海拓 郭俊栋 周以国 |
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| 作者单位： | 中国科学院电子学研究所,北京,100080 |
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| 摘 要： | 低噪声放大器(简称低噪放)是射频接收前端中的重要部件.一个性能良好的低噪声放大器可大大改善接收机的信噪比.本文介绍了一种C波段低噪声放大器的设计原理和设计方法,并给出了设计结果.该放大器采用NEC公司的NE3210S01场效应晶体管(FET),为达到较高的增益和较好的增益平坦度,采用两级级联的方式.输出端串联一个有耗元件(电阻)保证放大器的稳定性.利用ADS强大的仿真优化功能设计了输入、输出及级间匹配电路,最终制成的放大器经反复调试后在4.5 G～5.5 GHz范围内增益(25±0.7)dB,噪声系数小于1.3 dB,输出驻波小于1.5,达到了设计要求.
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| 关 键 词： | 低噪声放大器 噪声系数 ADS仿真 |
Design of C-band low noise amplifier |
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| Zhang Haituo,Guo Jundong,Zhou Yiguo.Design of C-band low noise amplifier[J].Electronic Measurement Technology,2007,30(11):10-13,208. |
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| Authors: | Zhang Haituo Guo Jundong Zhou Yiguo |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | NE3210S01 |
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