结温导向的两电平逆变器寿命优化控制 |
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引用本文: | 万宇宾,刘红文,杜京润,李佳怡,周瑞睿.结温导向的两电平逆变器寿命优化控制[J].电工技术,2023(8):147-151. |
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作者姓名: | 万宇宾 刘红文 杜京润 李佳怡 周瑞睿 |
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作者单位: | 中车株洲电力机车研究所;中南大学交通运输工程学院 |
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基金项目: | 国家重点研发计划(编号2022YFB4201602-02); |
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摘 要: | 结温是影响IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)寿命的关键因素,为了延长两电平逆变器寿命,提出一种改进的模型预测电流控制(Model Predictive Current Control, MPCC)策略。首先,针对功率损耗产生原理,建立IGBT的损耗因子;其次,考虑三相电流方向和不同功率管的导通情况,在IGBT开关和导通时刻加入不同的损耗因子,控制功率损耗的产生。通过仿真验证,相比传统模型预测电流控制和空间矢量脉宽调制策略,所提方法在保证控制性能的同时降低了功率器件结温,延长了寿命。
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关 键 词: | 结温 寿命 模型预测电流控制 IGBT 损耗因子 |
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