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| X波段低噪声放大器的仿真与设计 | |
| 引用本文： | 王龙龙,项铁铭,张范琦.X波段低噪声放大器的仿真与设计[J].杭州电子科技大学学报,2015(4). |
| 作者姓名： | 王龙龙 项铁铭 张范琦 |
| 作者单位： | 杭州电子科技大学天线与微波技术研究所,浙江杭州,310018 |
| 摘 要： | 仿真设计了一款 X 波段低噪声放大器（ LNA ），选用 NEC 公司的高电子迁移率晶体管NE3210S01，直流偏置电路采用双电源供电，采用低阻抗特性的扇形微带短截线代替旁路电容和3λ／4高阻抗线阻止射频信号对直流的影响，用源极负反馈的方法增加稳定性，并采用微带线耦合的方式达到隔直流的效果，借助 ADS软件进行设计、仿真和优化。仿真结果显示，放大器在9．5 GHz 10．5 GHz频率范围内增益为（24．2±0．5） dB，噪声系数小于0．8 dB，输入、输出驻波比均小于1．5，结果显示该款低噪声放大器适用于雷达系统。 |
| 关 键 词： | 高电子迁移率晶体管 扇形微带短截线 高阻线 噪声 负反馈 |
Simulation and Design X-band Low Noise Amplifier |
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| Wang Longlong,Xiang Tieming,Zhang Fanqi.Simulation and Design X-band Low Noise Amplifier[J].Journal of Hangzhou Dianzi University,2015(4). | |
| Authors: | Wang Longlong Xiang Tieming Zhang Fanqi |
| Abstract: | |
| Keywords: | high electron mobility transistor fan-shaped microstrip stub high impedance line noise negative feedback |
