| 一种长复位时间带低压探测的POR电路设计 |
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| 引用本文： | 翟明静,韩益锋.一种长复位时间带低压探测的POR电路设计[J].常州工学院学报,2015(3). |
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| 作者姓名： | 翟明静 韩益锋 |
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| 作者单位： | 常州工学院电子信息与电气工程学院，江苏 常州 213002; 常州工学院欧智汽车电子联合实验室，江苏 常州 213002 |
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| 摘 要： | 应用层次化设计的方法,设计出具有低电源电压探测功能和长复位时间的上电复位电路。通过改变MOS电容的大小和施密特触发器的阈值电压,调节复位时间,产生的复位信号持续时间长。设计中嵌入了低压检测电路,外界干扰导致供电电压降低时,同样会产生复位信号。电路运用MOS管设计,版图面积大大缩小。在Cadence Spectre下采用0.5μm BCD工艺对设计电路进行仿真:5 V电源电压、典型工艺角及常温下,复位时间持续19.623 ms;供电电压降至3.8 V以下,产生的复位信号持续时间为20.079 ms,该设计提高了芯片工作的可靠性。
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| 关 键 词： | 上电复位 BCD 低压探测 长复位时间 |
Design of a Long Reset-time POR Circuit with Low Voltage Detector |
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| ZHAI Mingjing,HAN Yifeng.Design of a Long Reset-time POR Circuit with Low Voltage Detector[J].Journal of Changzhou Institute of Technology,2015(3). |
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| Authors: | ZHAI Mingjing HAN Yifeng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | power on reset BCD low voltage detector long reset time |
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