| 磷锗锌(ZnGeP2)单晶体生长研究 |
| |
| 引用本文： | 赵欣,朱世富,赵北君,杨慧光,孙永强,程江,陈宝军,何知宇.磷锗锌(ZnGeP2)单晶体生长研究[J].四川大学学报(工程科学版),2008,40(6):101-104. |
| |
| 作者姓名： | 赵欣 朱世富 赵北君 杨慧光 孙永强 程江 陈宝军 何知宇 |
| |
| 作者单位： | 四川大学,材料科学与工程学院,四川,成都610064 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目50672061，50732005) |
| |
| 摘 要： | 以高纯(6N) Ge、Zn、P单质为原料,按化学计量比并富P 0.1%～0.3%配料,在特殊设计的密封安瓿中,采用改进的两温区气相输运法(MTVM)和机械振荡技术合成出单相致密的ZnGeP2多晶原料.以此为原料,采用改进的垂直布里奇曼法(VBM)生长出尺寸为Φ15 mm×25 mm的 ZnGeP2单晶体,呈黑灰色,外观完整、无裂纹.对晶体进行解理试验发现,其存在(112)和(101)两个易解理面;对10×10×2 mm3 ZnGeP2晶片,采用同成分粉末包裹,在550～600 ℃真空退火后,经红外透过率测试结果显示:在2～12 μm波段内红外透过率可达55%以上.
|
| 关 键 词： | 磷锗锌 单晶生长 垂直布里奇曼法 X射线衍射 红外透过率 |
| 收稿时间： | 5/5/2008 1:14:10 PM |
| 修稿时间： | 9/3/2008 2:29:38 PM |
Studies on Growth of ZnGeP2 Single Crystals |
| |
| ZHAO Xin,ZHU Shi-fu,ZHAO Bei-jun,YANG Hui-guang,SUN Yong-qiang,CHENG Jiang,CHEN Bao-jun,HE Zhi-yu.Studies on Growth of ZnGeP2 Single Crystals[J].Journal of Sichuan University (Engineering Science Edition),2008,40(6):101-104. |
| |
| Authors: | ZHAO Xin ZHU Shi-fu ZHAO Bei-jun YANG Hui-guang SUN Yong-qiang CHENG Jiang CHEN Bao-jun HE Zhi-yu |
| |
| Affiliation: | School of Materials Sci. and Eng. , Sichuan Univ. , Chengdu , China,,,,,, |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | ZnGeP2 single crystal growth VBM X-ray diffraction infrared transmission |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《四川大学学报(工程科学版)》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《四川大学学报(工程科学版)》下载全文 |
|
