| 压埋法制备MgB_2超导材料的工艺 |
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| 引用本文： | 吴涛,蔡永明,崔运国,顾大伟,袁丕方,沈临江.压埋法制备MgB_2超导材料的工艺[J].陶瓷科学与艺术,2003(3). |
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| 作者姓名： | 吴涛 蔡永明 崔运国 顾大伟 袁丕方 沈临江 |
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| 作者单位： | 南京工业大学材料科学与工程学院，南京工业大学理学院，南京工业大学材料科学与工程学院，南京工业大学材料科学与工程学院，南京工业大学理学院，南京工业大学材料科学与工程学院 江苏南京 210009，南京工业大学理学院，江苏南京 210009，江苏南京 210009，江苏南京 210009，南京工业大学理学院，江苏南京 210009，江苏南京 210009，南京工业大学理学院，江苏南京 210009，江苏南京 210009，江苏南京 210009，南京工业大学理学院，江苏南京 210009 |
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| 摘 要： | 介绍了一种用压埋法合成块状MgB2超导体的新方法。采用该方法得到的样品的临界温度可高达38 4K,与常规方法得到的样品的临界温度相近。对这种方法的合成工艺进行了探讨,发现烧结温度(Ts)和保温时间(t)对样品的临界温度影响很大。在相同的0 5h保温时间条件下,烧结温度在1073～1123K温区获得的样品临界温度最高。固定烧结温度(1123K),不同保温时间下获得的样品的临界温度随着保温时间的增加而降低。进一步对样品的剩余电阻率比(RRR)进行研究,实验结果表明随着RRR数值的增加临界转变温度下降。这可能与样品内过量的杂质有关。
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| 关 键 词： | 临界温度 烧结温度 保温时间 剩余电阻率比 |
Synthesis technique on MgB_2 superconductors |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | critical temperature sintering temperature soaking time residual resistance ratio |
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