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| LaBr_3∶Ce晶体生长及物理特性的研究 | |
| 引用本文： | 丁言国,包汉波,李正国,秦来顺,舒康颖.LaBr_3∶Ce晶体生长及物理特性的研究[J].硅酸盐通报,2014(3):476-481. |
| 作者姓名： | 丁言国 包汉波 李正国 秦来顺 舒康颖 |
| 作者单位： | 中国计量学院材料科学与工程学院; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(11175169,11075147,51002147) |
| 摘 要： | 利用垂直Bridgman法生长了尺寸为25 mm×80 mm的LaBr3∶3%Ce晶体,晶体的熔点为786℃,XRD表明晶体存在(100)解理面,晶体的择优生长方向为001]。热膨胀测试表明晶体100]方向热膨胀系数比较大,在室温至600℃范围内平均热膨胀系数达22.9×10-6/K。晶体经加工后,透过率可达到65%。室温下晶体的光致发光呈双发射峰,分别位于358 nm和380 nm。晶体呈单指数衰减,衰减极快,衰减时间拟合为18.3 ns。 |
| 关 键 词： | Bridgman法 LaBr∶Ce晶体 晶体生长 解理面 光谱 |
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