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高d_(33)·g_(33)PZT压电陶瓷的制备
引用本文:彭江古丽,束伟,张卫,尚勋忠.高d_(33)·g_(33)PZT压电陶瓷的制备[J].胶体与聚合物,2014(3).
作者姓名:彭江古丽  束伟  张卫  尚勋忠
作者单位:有机化工新材料湖北省协同创新中心;湖北大学材料科学与工程学院;
基金项目:国家自然科学基金项目(11175062);大学生创业训练项目(201210512088)
摘    要:通过传统固相烧结方法,研究不同Sb2O3掺入量和有机粘合剂聚乙烯醇(PVA)掺入对锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷性能的影响,制备了高d33·g33PZT压电陶瓷。采用扫描电子显微镜,阻抗分析仪,压电参数分析手段,对PZT压电陶瓷的性能进行了测试,结果为:机电耦合系数Kp=63.5%,介电损耗tanδ=0.018,相对介电系数εr=2004,压电性能d33=512pC/N,g33=29×10-3Vm/N,d33·g33=14.62pC·Vm/N2。该材料可应用于多个领域。

关 键 词:锆钛酸铅  聚乙烯醇  压电性能

Preparation of Pb(ZrTi)O_3 Piezoelectric Ceramics with High d_(33)·g_(33)
Abstract:
Keywords:
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