| SiO2疏松体高温脱羟过程数值模拟(续) |
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| 作者姓名： | 张国君 马千里 欧阳葆华 方海生 王韬 |
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| 作者单位： | 湖北菲利华石英玻璃股份有限公司;华中科技大学能源与动力工程学院 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划资助项目(2016YFB0303802,2016YFB0303801)。 |
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| 摘 要： | 3.2脱羟过程主要参数变化图5所示为熔制过程中SiO2疏松体平均温度(Ta)和平均孔隙率(φa)随时间的变化曲线。可以看出,疏松体平均温度的升高趋势和图3所示的顶面升温曲线保持一致。在10h时顶面温度为1 000℃,疏松体平均温度为997.5℃,两者较为接近。这是由于高温下辐射换热较为强烈,顶面的高温很快传递到疏松体内部。由于35h之前疏松体还未烧结,所以φa保持初始值不变。在35h以后,疏松体开始发生烧结,φa开始下降。当脱羟进行到76.3h时,疏松体全部烧结为石英锭,此后随着温度升高石英锭的孔隙率维持在设定的最低值0.01。
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| 关 键 词： | 升温曲线 SIO2 平均温度 过程数值模拟 变化曲线 参数变化 |
Numerical Simulation of High-Temperature Dehydroxylation Process in Porous Silica Preform(Contd) |
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| Authors: | ZHANG Guojun MA Qianli OUYANG Baohua FANG Haisheng WANG Tao |
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| Affiliation: | (Hubei Feilihua Quartz Glass Co.,Ltd,Jingzhou 430074,China;School of Energy and Power Engineering,Huazhong University of Science&Technology,Wuhan 430074,China) |
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| Abstract: | |
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