| CuO@CuS元件的制备及其对H2S的气敏机理研究 |
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| 引用本文： | 刘向薇,田野,杜明俊,许传欣,杨全毅.CuO@CuS元件的制备及其对H2S的气敏机理研究[J].化学与粘合,2020,42(3):200-201,209. |
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| 作者姓名： | 刘向薇 田野 杜明俊 许传欣 杨全毅 |
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| 作者单位： | 中国石油工程建设有限公司 华北分公司,河北 任丘062550;中国石油工程建设有限公司 华北分公司,河北 任丘062550;中国石油工程建设有限公司 华北分公司,河北 任丘062550;中国石油工程建设有限公司 华北分公司,河北 任丘062550;中国石油工程建设有限公司 华北分公司,河北 任丘062550 |
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| 摘 要： | 采用简单的一步溶液法制备出了形貌较好的氧化铜纳米片,并通过对氧化铜进行硫化氢钝化的方式,制备出了室温工作温度下能重复检测硫化氢的气敏元件。研究结果显示,制备的Cu O@Cu S元件在室温工作温度下对硫化氢表现出较好的选择性、响应灵敏度高且响应时间短。室温工作温度下对1ppm、5ppm、10ppm、15ppm浓度硫化氢的响应灵敏度为3.0、4.9、6.2、8.0,对应的响应时间为30s、10s、7s、5s。
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| 关 键 词： | 氧化铜纳米结构 室温 硫化氢 气敏 |
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