| SiC晶须在SiO2-C-N2系统中的合成 |
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| 引用本文： | 张颖,蒋明学,张军战,崔曦文.SiC晶须在SiO2-C-N2系统中的合成[J].中国陶瓷,2009,45(6). |
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| 作者姓名： | 张颖 蒋明学 张军战 崔曦文 |
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| 作者单位： | 西安建筑科技大学材料科学与工程学院,西安,710055
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| 摘 要： | 对SiO2-C-N2系统中的主要化学反应和SiC晶须在该系统中的合成条件进行了热力学分析,采用SiO2微粉为硅源、石墨、活性炭和碳黑为碳源,氧化硼为催化剂,分别在1 500℃、1 550℃和1 600℃利用碳热还原法合成碳化硅晶须,通过x射线衍射、扫描电子显微镜和电子探针分析合成晶须的特征.结果表明:在氮气气氛下利用碳热还原反应合成SiC晶须的温度在1 450℃以上,且随着温度的升高,SiC晶须的生成量增多,晶须直径变大;以炭黑和活性炭等较高活性的碳源代替石墨可以使反应速度加快,但合成的SiC晶须较粗甚至生成SiC颗粒;杂质含量较多会使得SiC晶须生成数量降低,同时晶须出现弯曲现象.
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| 关 键 词： | 系统 SiC晶须 热力学 |
SYNTHESIS OF THE SiC WHISKERS IN SiO2-C-N2 SYSTEM |
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| Zhang Ying,Jiang Mingxue,Zhang Junzhan,Cui Xiwen.SYNTHESIS OF THE SiC WHISKERS IN SiO2-C-N2 SYSTEM[J].China Ceramics,2009,45(6). |
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| Authors: | Zhang Ying Jiang Mingxue Zhang Junzhan Cui Xiwen |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiO2-C-N |
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