| 不同粒径纳米二氧化硅磨料对蓝宝石CMP去除机制的影响 |
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| 引用本文： | 赵之琳,李薇薇,钱佳,孙运乾.不同粒径纳米二氧化硅磨料对蓝宝石CMP去除机制的影响[J].电镀与涂饰,2021,40(9):720-725. |
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| 作者姓名： | 赵之琳 李薇薇 钱佳 孙运乾 |
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| 作者单位： | 河北工业大学电子信息工程学院,天津 300401 |
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| 摘 要： | 采用不同粒径的纳米二氧化硅磨料对蓝宝石晶圆进行化学机械抛光(CMP).结合实验与量子化学参数的仿真计算,研究了磨料粒径对抛光后蓝宝石晶圆表面性能的影响及其材料去除机制.结果表明:在CMP过程中,纳米二氧化硅磨料与晶圆表面发生了主要基于磨粒表面羟基官能团与加工材料表面之间强相互作用的固相反应.提出了磨粒粒径影响固相反应强度的机制.纳米二氧化硅磨料在蓝宝石CMP中对材料的去除是机械磨损和化学反应共同作用的结果,磨料的粒径是影响两者动态平衡的重要因素.建议采用混合粒径纳米二氧化硅磨料来抛光蓝宝石.
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| 关 键 词： | 蓝宝石 化学机械抛光 纳米二氧化硅 粒径 材料去除机制 |
Removal mechanism of sapphire during CMP using nano-silica abrasives with different sizes |
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| ZHAO Zhilin,LI Weiwei,QIAN Jia,SUN Yunqian.Removal mechanism of sapphire during CMP using nano-silica abrasives with different sizes[J].Electroplating & Finishing,2021,40(9):720-725. |
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| Authors: | ZHAO Zhilin LI Weiwei QIAN Jia SUN Yunqian |
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