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低温烧结PZT-O.5%PbO·WO3压电陶瓷
引用本文:朱宏亮,孙清池,刘海燕,李建华.低温烧结PZT-O.5%PbO·WO3压电陶瓷[J].硅酸盐学报,2006,34(4):476-478.
作者姓名:朱宏亮  孙清池  刘海燕  李建华
作者单位:天津大学材料科学与工程学院,天津,300072
摘    要:以固态氧化物为原料,采用一次合成工艺制备锆钛酸铅(lead zirconate titanate,PZT)-0.5%PbO·WO3压电陶瓷,研究摩尔比n(Zr)/n(Ti)、烧结温度对陶瓷性能的影响.结果发现:合成温度900℃保温2 h可以得到钙钛矿结构压电陶瓷.n(Zr)/n(Ti)=1.08时,烧结温度为1 100℃保温2 h,压电陶瓷的综合性能在准同型相界处达最佳:介电常数εT33/ε0=1 593,介电损耗tgδ=0.019,压电系数d33=363.5×10-6C/N,机电耦合系数Kp=0.596,机械品质因数Qm=8 8.4.

关 键 词:压电陶瓷  低温烧结  三氧化钨  电性能
文章编号:0454-5648(2006)04-476-03
收稿时间:06 14 2005 12:00AM
修稿时间:11 17 2005 12:00AM

LOW TEMPERATURE SINTERED PZT - 0.5%PbO· WO3 PIEZOELECTRIC CERAMICS
ZHU Hongliang,SUN Qingchi,LIU Haiyan,LI Jianhua.LOW TEMPERATURE SINTERED PZT - 0.5%PbO· WO3 PIEZOELECTRIC CERAMICS[J].Journal of The Chinese Ceramic Society,2006,34(4):476-478.
Authors:ZHU Hongliang  SUN Qingchi  LIU Haiyan  LI Jianhua
Abstract:
Keywords:piezoelectric ceramics  low temperature sintering  tungsten oxide  electric-properties
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