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| β-SiC晶须的生长及微观结构研究 | |
| 引用本文： | 马峻峰,沈君权.β-SiC晶须的生长及微观结构研究[J].硅酸盐学报,1993(2). |
| 作者姓名： | 马峻峰 沈君权 |
| 作者单位： | 山东工业陶瓷研究设计院 (马峻峰)，山东工业陶瓷研究设计院(沈君权) |
| 摘 要： | 以高岭土、超细碳粉为原料,采用高温碳热还原方法合成出性能良好的β-SiC晶须。运用XRD,SEM,TEM,EDAX等分析检测技术研究了该晶须的结晶特征及生长机理。结果表明:晶须沿<111>方向具有平行的堆垛层错,横断面呈正三角形,晶须顶端存在螺旋位错。该方法生产的β-SiC晶须,其生长过程为“VS”机理。 |
| 关 键 词： | β-SiC晶须合成 碳热还原法 结晶特征 生长机理 |
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