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低温放电等离子烧结法制备氮化硅陶瓷
引用本文:李家亮,牛金叶,陈斐.低温放电等离子烧结法制备氮化硅陶瓷[J].硅酸盐学报,2011,39(2):246-250.
作者姓名:李家亮  牛金叶  陈斐
作者单位:1. 山东理工大学化工学院,淄博山东,255049
2. 武汉理工大学,特种功能材料技术教育部重点实验室,武汉430070
基金项目:中国高校基本科研业务费专项资金资助项目
摘    要:分别以MgO-Al2O3或MgO-AlPO4作为烧结助剂,采用放电等离子体低温快速烧结方法制备了主相为α相的Si3N4陶瓷材料.采用X射线衍射和扫描电子显微镜分析了样品的物相组成和显微结构;研究了烧结助剂及其含量、烧结温度对陶瓷样品的相对密度与力学性能的影响.结果表明:当采用4%质量分数,下同)MgO-4%Al2O3烧...

关 键 词:氮化硅  低温烧结  烧结助剂  放电等离子体烧结

Low Temperature Sintering of Silicon Nitride Ceramics by Spark Plasma Sintering Technique
LI Jialiang,NIU Jinye,CHEN Fei.Low Temperature Sintering of Silicon Nitride Ceramics by Spark Plasma Sintering Technique[J].Journal of The Chinese Ceramic Society,2011,39(2):246-250.
Authors:LI Jialiang  NIU Jinye  CHEN Fei
Affiliation:LI Jialiang1,NIU Jinye1,CHEN Fei2(1.School of Chemical Engineering,Shandong University of Technology,Zibo 255049,Shandong,2.Key Laboratory of Advanced Technology for Specially Functional Materials,Ministry of Education,Wuhan University of Technology,Wuhan 430070,China)
Abstract:
Keywords:silicon nitride  low temperature sintering  sintering additive  spark plasma sintering  
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