气体流量对氢化非晶氧化硅(a-SiO_x∶H)钝化性能影响

本征钝化层是非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的核心技术之一,以n型直拉单晶硅片(n-Cz-Si)为衬底采用热丝化学气相沉积法(HWCVD)沉积氢化非晶氧化硅(a-SiO_x∶H),研究气体流量对其钝化性能的影响。结果表明,CO_2,H_2,SiH_4流量均能显著的影响a-SiO_x∶H钝化性能,最优钝化效果CO_2,H_2,SiH_4流量分别为0.3 sccm,16sccm,10 sccm,双面沉积a-SiO_x∶H后硅片的少子寿命达到了466 s(注入浓度取1×10 cm~(-3))。