| 氦热脱附谱研究碳掺杂对铝中氦行为的影响 |
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| 引用本文： | 向鑫,陈长安,刘柯钊,彭丽霞,饶咏初.氦热脱附谱研究碳掺杂对铝中氦行为的影响[J].稀有金属,2009,33(4). |
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| 作者姓名： | 向鑫 陈长安 刘柯钊 彭丽霞 饶咏初 |
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| 作者单位： | 表面物理与化学国家重点实验室,四川,绵阳,621907 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目 |
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| 摘 要： | 通过离子注入技术在铝中引入C,He两元素,并采用氦热脱附谱(THDS)研究了C掺杂对铝中氦行为的影响.注He纯铝的THDS中存在四个氦释放区间,分别归于小间隙环的解离、位错环的合并、位错环的皱缩及氦泡向样品表面的迁移.C掺杂后,铝中形成了高热稳定性的HenVmCx型复合物,造成样品中气体释放延迟.然而,随着C掺杂剂量的增加,THDS谱发生显著改变,低温区出现明显的释放峰,且C掺杂量越高,低温区的释放峰个数越多.
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| 关 键 词： | 铝 氦热脱附谱 碳掺杂 氦行为 |
Effect of Carbon Doping on Helium Behavior in Aluminum Studied by Thermal Helium Desorption Spectrometry |
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| Xiang Xin,Chen Changan,Liu Kezhao,Peng Lixia,Rao Yongchu.Effect of Carbon Doping on Helium Behavior in Aluminum Studied by Thermal Helium Desorption Spectrometry[J].Chinese Journal of Rare Metals,2009,33(4). |
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| Authors: | Xiang Xin Chen Changan Liu Kezhao Peng Lixia Rao Yongchu |
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