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基于LTCC基板BCB/Cu薄膜混合多层互连技术研究
引用本文:陈靖,丁蕾,陈瑫,戴洲,沐方清,王立春,赵涛.基于LTCC基板BCB/Cu薄膜混合多层互连技术研究[J].固体电子学研究与进展,2019,39(3):226-234.
作者姓名:陈靖  丁蕾  陈瑫  戴洲  沐方清  王立春  赵涛
作者单位:上海航天电子技术研究所,上海,201109;中国电子科技集团公司第五十五研究所,南京,210016;中国电子科技集团公司第四十三研究所,合肥,230022
摘    要:针对微系统小型化集成对高性能成膜基板需求,研究了基于LTCC基板的BCB/Cu薄膜多层互连关键技术及过程控制要求。提出一种高可靠"T"型界面互连方式的薄膜磁控溅射Cr/Cu/Cr和Cr/Pd/Au复合膜层结构及其制备方法。研究了LTCC基板收缩率偏差、LTCC-薄膜界面缺陷及粗糙度、BCB介质膜固化应力、介质膜金属化的应力等因素对厚薄膜混合基板质量的影响。制备的12层厚薄膜混合基板(10层LTCC基板,2层薄膜布线) 60片,100%全部通过GJB2438 C.2.7成膜基片评价考核要求,相比LTCC基板,布线密度提高4倍,尺寸缩小40%。

关 键 词:微系统  低温共烧陶瓷  薄膜多层互连  苯并环丁烯  界面缺陷  低应力控制

Research on BCB/Cu Thin Film Multilayer Interconnection Technology Based on LTCC Substrate
Abstract:
Keywords:
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