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| GaAs中子嬗变掺杂初探 | |
| 引用本文： | 徐稼迟,张德宏,孟祥提,徐小琳.GaAs中子嬗变掺杂初探[J].固体电子学研究与进展,1984(2). |
| 作者姓名： | 徐稼迟 张德宏 孟祥提 徐小琳 |
| 作者单位： | 南京固体器件研究所 (徐稼迟，张德宏)，清华大学核能所 (孟祥提)，清华大学核能所(徐小琳) |
| 摘 要： | <正>在制备大功率整流器、可控硅、硅靶摄像管、核探测器和集成电路等方面中子嬗变掺杂(简称NTD)硅已经得到广泛应用.近来,GaAs等化合物半导体材料的中子嬗变掺杂亦有报导. |
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