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| 应用于LTE band1的高效率功率放大器设计 | |
| 作者单位： | ;1.广东工业大学信息工程学院 |
| 摘 要： | 设计了一种应用于LTE band1的带有自适应线性化偏置电路的高效率双链式HBT功率放大器。该电路基于InGaP/GaAs HBT工艺设计,通过控制偏置电路电压来选择高功率和低功率模式,对高功率模式仿真和测试结果进行分析。通过调试,最终高功率模式输出功率为28dBm时,增益为27.5dB,功率附加效率为43%,ACPR为-38dBc。在低功率模式输出功率为16dBm时有21%的功率附加效率。 |
| 关 键 词： | 长期演进 功率放大器 铟镓磷/砷化镓异质结双极晶体管 功率附加效率 |
Design of High-efficiency Power Amplifier for LTE |
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