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| 利用三量子阱结构拓宽1550nm InGaAlAs超辐射发光管光谱 | |
| 作者单位： | ;1.长春理工大学光电工程学院;2.长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 |
| 摘 要： | 为了拓宽1 550nm InGaAlAs超辐射发光二极管(SLD)的输出光谱,采用三量子阱结构(分别对应1 530、1 550、1 570nm中心激射波长)作为有源区制作了1 550nm SLD,并在器件非出射端部分制作成非注入吸收区,通过吸收区抑制激射。实验结果表明研制的SLD最大输出功率为26.1mW时,中心波长为1 567nm。最大光谱半高宽(FWHM)大于44nm。此外,器件即使在最大输出功率下,仍然具有较宽的光谱。 |
| 关 键 词： | 超辐射发光二极管 三量子阱 复合效率 中心波长 |
Spectrum Broadening of 1 550nm InGaAlAs Superluminescent Diode Using Three-quantum-well Structure |
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| Keywords: | |
