|
|||||
|
|
| C波段75W GaN HEMT高效率功率放大器MMIC | |
| 作者单位： | ;1.南京电子器件研究所;2.微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 |
| 摘 要： | 报道了一款基于0.25μm GaN HEMT工艺的C波段75 W高效率功率放大器MMIC。为提高功率增益,芯片的整体拓扑结构设计为三级。在末级输出匹配电路上设计了一个高效电抗式匹配拓扑,在末级管芯输入匹配电路上运用了谐波控制技术,同时利用GaN HEMT器件大信号模型来优化驱动比,通过这三种技术途径有效提高了芯片的附加效率。为扩展工作带宽及提高稳定性,其他匹配电路采用有耗匹配方式。在漏压28 V、脉宽100μs、占空比10%的工作条件下,芯片在4.8～6.0 GHz频带范围内,典型输出功率达到75 W(最高81 W),增益大于25.5dB,附加效率大于51%(最高55%),芯片面积为3.8 mm×5.5 mm。 |
| 关 键 词： | GaN功率放大器 单片微波集成电路 C波段 大功率 高效率 |
C-band 75W GaN HEMT High Efficiency Power Amplifier MMIC |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |
