| Si/Si直接键合界面性质的研究 |
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| 引用本文： | 陈松岩,谢生,何国荣.Si/Si直接键合界面性质的研究[J].固体电子学研究与进展,2004,24(3):390-395. |
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| 作者姓名： | 陈松岩 谢生 何国荣 |
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| 作者单位： | 1. 厦门大学物理系,厦门,361005
2. 中科院半导体所,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家基金 (项目编号 :6 0 0 0 6 0 0 4)，国家重点基金 (项目编号 :6 0 336 0 1 0 )项目支持 |
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| 摘 要： | 通过三步直接键合方法实现了 Si/ Si键合。采用 XPS、FTIR、I-V、拉伸强度等手段对 Si/ Si键合结构的界面特性作了深入广泛的研究。研究结果表明 ,高温退火后 ,在键合界面没有 Si-H和 Si-OH网络存在 ,键合界面主要由单质 Si和不定形氧化硅 Si Ox 组成。同时 ,研究还表明 ,I-V特性和键合强度强烈地依赖于退火温度。
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| 关 键 词： | 硅直接键合 界面性质 红外透射谱 X-射线光电子谱 伏安特性 键合强度 键合机理 |
| 文章编号： | 1000-3819(2004)03-390-06 |
| 修稿时间： | 2003年12月5日 |
Interface of Si/Si Directly Wafer Bonding |
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| CHEN Songyan,XIE Sheng,HE Guorong.Interface of Si/Si Directly Wafer Bonding[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2004,24(3):390-395. |
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| Authors: | CHEN Songyan XIE Sheng HE Guorong |
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| Affiliation: | CHEN Songyan~1 XIE Sheng~1 HE Guorong~2 |
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| Abstract: | The Si/Si bonding has been achieved by three-step direct wafer bonding technology. Interfacial characteristic has been widely investigated by the X-ray photoelectron spectronscopy (XPS), Fourier transform infrared spectrum (FTIR),I-V and tensile strength. The results show that there are no infrared absorbtion peak related to the Si-H bonding and Si-OH bonding in the interface at high temperature, and the interface is made up of Si and SiO_x. In addition, the researches indicate that both I-V characteristic and bonding energy strongly depend on annealing temperature |
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| Keywords: | silicon wafer bonding interfacial characteristic FTIR XPS I-V characteristic bonding energy bonding mechanism |
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