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| 原子层沉积Al_2O_3/n-GaN结构的深能级界面态研究 | |
| 作者单位： | ;1.物联网技术应用教育部工程研究中心江南大学电子工程系 |
| 摘 要： | 基于与传统方法不同的物理过程,利用光辅助高频电容-电压(C-V)法研究了原子层沉积的Al_2O_3/nGaN界面的深能级缺陷态分布。无光照条件下的C-V曲线表现出典型的深耗尽行为,这主要由极长的深能级电子发射时间和极慢的少子热产生速率决定,可看作向正偏压方向平移了的理想电容曲线。在深耗尽状态下背入射365nm的紫外光后,大量的光生空穴有效地复合准费米能级以上的界面被陷电子,并允许电子在偏压扫描回积累区的过程中逐渐填充这些被排空的界面态,导致C-V曲线发生形变。基于上述物理过程,获得了一个快速衰减的界面态能级分布:从导带底至以下0.8eV,态密度从2.5×10~(12)cm~(-2)eV~(-1)减小至9×10~(10)cm~(-2)eV~(-1)。 |
| 关 键 词： | Al2O3/n-GaN 原子层沉积 背入射紫外光照 电容特性 界面态分布 |
Study on the Deep-level Trap States at the Atomic Layer Deposited Al_2O_3/n-GaN Interface |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
