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| 纳米线多型异质结碳化硅室温单电子晶体管研究 | |
| 作者单位： | ;1.湖北工业大学电气与电子工程学院通信工程系;2.湖北工业大学电气与电子工程学院纳米电子技术与微系统实验室;3.Hochschule-Rhein-Waal;4.Universitat Karlsruhe(TH) |
| 摘 要： | 采用碳化硅4H/6H多型纳米线制备单电子晶体管,在室温下观察到库仑阻塞效应和负微分电阻,I-V曲线呈现典型的库仑台阶,其台阶为周期性的,这些周期性小台阶,又呈现非周期的嵌套结构。单根纳米线碳化硅由4H/6H多型交替生长构成,它们嵌合构成竹节状生长,碳化硅多型结构中4H多型晶体构成双势垒,其直径为1080nm,长度约50nm。而联结4H多型的6H多型晶体部分,长度约20nm,且直径较细(约1080nm,长度约50nm。而联结4H多型的6H多型晶体部分,长度约20nm,且直径较细(约1035nm),被认为是库仑孤岛。 |
| 关 键 词： | 室温单电子晶体管 纳米线 碳化硅 多型异质结构 库仑阻塞效应 |
Study of Nanowire Silicon Carbide Polytype Heterostructure Single Electron Transistor at Room Temperature |
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| Keywords: | |
