| Al/AlN/Si MIS结构的电学性质 |
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| 引用本文： | 周春红,孔月婵,席冬娟,陈鹏,郑有炓.Al/AlN/Si MIS结构的电学性质[J].固体电子学研究与进展,2006,26(2):143-147. |
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| 作者姓名： | 周春红 孔月婵 席冬娟 陈鹏 郑有炓 |
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| 作者单位： | 1. 江苏省光电信息功能材料高技术研究重点实验室,南京大学物理系,南京,210093;中国药科大学物理教研室,南京,210000
2. 江苏省光电信息功能材料高技术研究重点实验室,南京大学物理系,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 用S i(111)上M OCVD生长的晶态A lN制备出性能良好的A l/A lN/S i(111)M IS结构,用C-V技术首次系统研究了A l/A lN/S iM IS结构的电学性质。用A l/A lN/S iM IS结构的C-V技术测量了A lN的极化特性,得出A lN层的极化强度为-0.000 92 C/m2;揭示了A lN/S i界面存在连续分布的载流子陷阱态,给出了陷阱态密度在S i禁带中随能量的分布;还观察到A lN界面层存在Et-Ev(A lN)=2.55 eV的分立陷阱中心。
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| 关 键 词： | 铝/氮化铝/硅 金属绝缘体半导体结构 极化性质 界面陷阱态 |
| 文章编号： | 1000-3819（2006）02-143-05 |
| 收稿时间： | 2005-07-05 |
| 修稿时间： | 2005-09-13 |
Electrical Properties of Al/AlN/Si MIS Structure |
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| ZHOU Chunhong,KONG Yuechan,XI Dongjuan,CHEN Peng,ZHENG Youdou.Electrical Properties of Al/AlN/Si MIS Structure[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2006,26(2):143-147. |
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| Authors: | ZHOU Chunhong KONG Yuechan XI Dongjuan CHEN Peng ZHENG Youdou |
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| Abstract: | In this paper,the good performance Al/AlN/Si MIS structure was prepared using crystal AlN film grown by MOCVD.The characteristic of Al/AlN/Si MIS structure was studied for the first time by C-V technique.The polarization of AlN was measured and the C-V curves of the Al/AlN/Si structure showed that the polarization of AlN film is-0.000 92 C/m~2.There are continuous interface trap states at AlN/Si heterostructure.The trap states distribution with the energy range at Si forbidden band was given.The discrete trap center E_t-E_v(AlN)=2.55 eV in AlN film was found. |
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| Keywords: | Al/AlN/Si MIS structure polarization interface trap states |
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