| 利用扫描电镜分析、解决GaAs MMIC制作中的工艺问题 |
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| 引用本文： | 王民娟,张浩,周瑞,冯震,邵璀琦.利用扫描电镜分析、解决GaAs MMIC制作中的工艺问题[J].电子显微学报,2001,20(4):406-407. |
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| 作者姓名： | 王民娟 张浩 周瑞 冯震 邵璀琦 |
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| 作者单位： | 信息产业部第十三研究所, |
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| 摘 要： | 随着微波通讯的迅猛发展 ,对器件的频率要求越来越高 ,线条也越来越细 ,尤其工作在千兆频率下的低噪声放大器 ,栅长不能超过 0 4μｍ ,在目前较先进的光学显微镜下看到的仅仅是一条细线 ,而扫描电镜的高放大倍数、高分辨率正好能解决这个问题 ,可以说 ,扫描电镜是ＧａＡｓＭＭＩＣ制作工艺中不可缺少的仪器。样品制作 :一是从表面监测所作细条的均匀性、连续性。二是将样品从垂直于细条方向切开 ,从断面精确观测其形貌、大小并分析工艺中出现的问题。为此 ,我们特加工了如图 1的样品台 ,上为顶视图 ,下为侧视图。用双面胶带纸将样品粘在样…
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| 关 键 词： | 扫描电镜分析 GaAsMMIC 低噪声放大器 制作工艺 微波通讯 频率 |
SEM analysis of the problems in GaAs MMIC processing |
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