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非晶硅微结构的CTEM和HREM研究
引用本文:王建农,刘昌灵,褚一鸣,林兰英,杨大宇.非晶硅微结构的CTEM和HREM研究[J].电子显微学报,1984(4).
作者姓名:王建农  刘昌灵  褚一鸣  林兰英  杨大宇
作者单位:中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院物理研究所
摘    要:十多年来非晶硅(a -Si)薄膜的微结构一直是一个很多人感兴趣的课题,但至今仍未获得明确的结论。利用TEM技术研究a-Si的微结构的工作,大致可分成两个范畴:(1)中等分辨率(≥100A),Knights等人在辉光放电(GD)a-Si:H薄膜中观察到的“岛”状结构;(2)原子尺度的分辨率,英剑桥大学的Saxton等人用HREM技术研究a-Si极薄膜,经多年努力仍未获得任何关于近程序的结论。本文试图综合运用CTEM和HREM技术研究a-Si膜中岛状结构的微观性质。实验用JEOL公司的JEM200CX电镜。备有顶插式THG2高分辨测角台,物镜Cs=1.2mm。加速电压200KV,

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