| Cu/Ta/SiO2/Si多层膜纳米压痕下微观结构的研究 |
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| 引用本文： | 卢茜,吴子景,吴晓京,SHEN Wei-dian,蒋宾.Cu/Ta/SiO2/Si多层膜纳米压痕下微观结构的研究[J].电子显微学报,2008,27(4). |
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| 作者姓名： | 卢茜 吴子景 吴晓京 SHEN Wei-dian 蒋宾 |
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| 基金项目： | 上海市科委资助项目，上海市重点学科建设项目 |
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| 摘 要： | Cu/Ta/SiO2/Si多层膜结构是目前集成电路制造工艺中的常见结构,其硬度与弹性模量通过纳米压入技术测得.为了表征纳米压痕下的形变微观区域,采用聚焦离子束加工出压痕截面,同时进行扫描电子、扫描离子显微观察,发现样品衬底发生开裂,多层膜结构出现分层现象.TEM分析表明分层出现在Ta/SiO2界面,说明这是该结构的一个薄弱环节.
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| 关 键 词： | Cu/Ta/SiO2/Si多层膜结构 纳米压入技术 压痕下微观结构 |
Study of nanoindentation and microstructure below the residual indent on Cu/Ta/SiO2/Si multilayer |
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| LU Qian,WU Zi-jing,WU Xiao-jing,SHEN Wei-dian,JIANG Bin.Study of nanoindentation and microstructure below the residual indent on Cu/Ta/SiO2/Si multilayer[J].Journal of Chinese Electron Microscopy Society,2008,27(4). |
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| Authors: | LU Qian WU Zi-jing WU Xiao-jing SHEN Wei-dian JIANG Bin |
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