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基于固态硬盘的闪存阵列并行结构设计
引用本文:李佳琦,李健,党相甫,冯伟.基于固态硬盘的闪存阵列并行结构设计[J].微电子学与计算机,2010,27(4).
作者姓名:李佳琦  李健  党相甫  冯伟
作者单位:1. 天津大学,精密仪器与光电子工程学院,精密仪器工程系,天津,300072
2. 泰科源科技有限责任公司,北京,100080
摘    要:闪速存储器是固态硬盘的主要存储介质,但是其较低的写入速度无法满足系统对数据的高速传输要求,从而影响到固态硬盘的整体性能.为提高闪存阵列的写入带宽,在分析Flash器件的工作原理、流水线技术及并行总线技术的基础上,提出了一种可行的并行结构,估算并验证了采用此方案后的带宽提高情况.

关 键 词:固态硬盘  闪速存储器  写入带宽  流水线技术  并行结构

Design of Parallel Structure of Flash Memory Array Based on Solid State Disk
LI Jia-qi,LI Jian,DANG Xiang-fu,FENG Wei.Design of Parallel Structure of Flash Memory Array Based on Solid State Disk[J].Microelectronics & Computer,2010,27(4).
Authors:LI Jia-qi  LI Jian  DANG Xiang-fu  FENG Wei
Abstract:
Keywords:
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