| 金属化电迁移失效的圆片级监控技术 |
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| 引用本文： | 张蓓熔.金属化电迁移失效的圆片级监控技术[J].微电子学与计算机,1993,10(1):45-48. |
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| 作者姓名： | 张蓓熔 |
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| 作者单位： | 华东师范大学电子系，华东师范大学电子系 上海市 200062，上海市 200062 |
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| 摘 要： | 介绍3种圆片级金属化电迁移可靠性测试技术:(1)金属击穿能量技术;(2)标准圆片级电迁移加速测试技术;(3)标准圆片级等温焦耳热电迁移测试技术实验结果表明它们优于传统的电迁移寿命试验,可用作在线监控.
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| 关 键 词： | 电迁移 圆片级 监控技术 |
The Wafer Level Monitoring Techniques of Metallization Electromigration Failure |
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| Zhang Beirong,Sun Wei.The Wafer Level Monitoring Techniques of Metallization Electromigration Failure[J].Microelectronics & Computer,1993,10(1):45-48. |
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| Authors: | Zhang Beirong Sun Wei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Elcctromigration Wafer level Monitor |
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