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| Pb（Zr0.3Ti0.7）O3热释电薄膜材料研究 | |
| 引用本文： | 钟朝位,汪红兵,彭家根,张树人,张万里.Pb（Zr0.3Ti0.7）O3热释电薄膜材料研究[J].红外与毫米波学报,2005,24(6):405-408. |
| 作者姓名： | 钟朝位 汪红兵 彭家根 张树人 张万里 |
| 作者单位： | 1. 电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054 2. 四川压电与声光技术研究所,重庆,400060 3. 电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川,绵阳,621900 |
| 基金项目： | 国家九七三重大基础研究（51310204）资助项目 |
| 摘 要： | 利用射频磁控溅射法对0.8Pb(Zr0.3Ti0.7)O3+0.2PbO的陶瓷靶进行溅射,在5英寸的TiOx/Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了PZT薄膜.实验表明,PZT薄膜的取向由(111)到(100)的改变可以通过精确控制基片温度来实现.(111)取向的薄膜具有良好的介电、铁电和热释电性能,其剩余极化强度、介电常数、介电损耗、矫顽场和热释电系数分别为20μC/cm2,370,1.5%,130kV/cm和1.1×10-8C/cm2K,该薄膜可望在非制冷红外焦平面探测器阵列中得到应用. |
| 关 键 词： | PZT薄膜 射频磁控溅射 非制冷红外焦平面 探测器阵列 |
| 文章编号： | 1001-9014（2005）06-0405-04 |
| 收稿时间： | 2004-12-06 |
| 修稿时间： | 2005-05-20 |
INVESTIGATION ON Pb(Zr0.3Ti0.7)O3 PYROELECTRIC THIN FILM MATERIALS |
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| ZHONG ChaoWei,WANG Hong-Bing,PENG Jia-Gen.INVESTIGATION ON Pb(Zr0.3Ti0.7)O3 PYROELECTRIC THIN FILM MATERIALS[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2005,24(6):405-408. | |
| Authors: | ZHONG ChaoWei~ WANG Hong-Bing~ PENG Jia-Gen~ |
| Affiliation: | ZHONG ChaoWei~,WANG Hong-Bing~,PENG Jia-Gen~ |
| Abstract: | Lead zirconate titanate thin films were successfully prepared on 5-inch TiO_x/Pt/Ti/SiO_2/Si substrates by RF-Magnetron Sputtering method.The experimental results show that the orientation of PZT thin films can be changed from(111) to(100) by precisely controlling the substrate temperature.The (111)-oriented films with thickness of 500nm have the remanent polarization of 20μC/cm~2,dielectric constant of 370,dielectric loss of 1.5%,coercive field of 130kV/cm and pyroelectric coefficient of 1.1×10~(-8)C/cm~2K.The films can be used for fabricating uncooled infrared focal plane detector arrays. |
| Keywords: | lead zireonate titanate films RF-magnetron sputtering uneooled infrared focal plane detector arrays |
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