| 基于绝缘体上硅材料的25通道200 GHz的阵列波导光栅 |
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| 引用本文： | 袁配,王玥,吴远大,刘丽杰,安俊明,胡雄伟.基于绝缘体上硅材料的25通道200 GHz的阵列波导光栅[J].红外与毫米波学报,2018,37(6):673-678. |
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| 作者姓名： | 袁配 王玥 吴远大 刘丽杰 安俊明 胡雄伟 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室,中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室,中国科学院半导体研究所；中国科学院大学材料科学与光电技术学院,中国科学院半导体研究所；中国科学院大学材料科学与光电技术学院,中国科学院半导体研究所；中国科学院大学材料科学与光电技术学院,中国科学院半导体研究所 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划 (2016YFB0402504)、国家自然科学基金项目（面上项目，重点项目，重大项目） (61435013) |
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| 摘 要： | 报道了基于绝缘体上硅材料的25通道、信道间隔200 GHz的阵列波导光栅, 分别优化了输入波导/输出波导/阵列波导间的最小间距 (Δxi/Δxo/d) , 及其自由传播区和阵列波导之间边界结构 (W2/L2/L3) .实验结果表明, 该阵列波导光栅的插入损耗为5～7 dB, 串扰为13～15 dB, 该阵列波导光栅的性能得到有效提升.同时也提出了减小插损与串扰的进一步优化方案.
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| 关 键 词： | 硅基光电子，阵列波导光栅，双刻蚀结构，波分复用解复用器 |
| 收稿时间： | 2018/3/26 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2018/9/26 0:00:00 |
25-channel 200 GHz AWG based on SOI ridge waveguides |
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| YUAN Pei,WANG Yue,WU Yuan-D,LIU Li-Jie,AN Jun-Ming and HU Xiong-Wei.25-channel 200 GHz AWG based on SOI ridge waveguides[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2018,37(6):673-678. |
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| Authors: | YUAN Pei WANG Yue WU Yuan-D LIU Li-Jie AN Jun-Ming and HU Xiong-Wei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Silicon photonics Arrayed waveguide gratings double-etch structure Wavelength division multiplexing/de-multiplexer |
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