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| Si1—x Gex／Si定向耦合器的研制 | |
| 引用本文： | 高勇,张翔九.Si1—x Gex／Si定向耦合器的研制[J].红外与毫米波学报,1996,15(1):33-37. |
| 作者姓名： | 高勇 张翔九 |
| 摘 要： | 在运用ＳｉＧｅ脊形波导单模条件和有效折射率法分析ＳｉＧｅ／Ｓｉ定向耦合器结构参数基础上，采用分子束外延和各向异性腐蚀技术制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ单模定向耦合器。在波长为１．３μｍ时，平均串音小于－１８．１ｄＢ，输出功率耦俣效率达到９８．１％。 |
| 关 键 词： | 光波导 定向耦合器 硅锗材料 |
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