| SOI CMOS SRAM单元单粒子翻转效应的模拟 |
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| 引用本文： | 李振涛,于 芳,刘忠立,赵 凯,高见头,杨 波,李 宁.SOI CMOS SRAM单元单粒子翻转效应的模拟[J].太赫兹科学与电子信息学报,2011,9(6):774-777. |
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| 作者姓名： | 李振涛 于 芳 刘忠立 赵 凯 高见头 杨 波 李 宁 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所;传感器技术国家重点实验室; |
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| 摘 要： | 为简单快速模拟静态随机存储器(SRAM)的单粒子效应,在二维器件数值模拟的基础上,以经典的双指数模型为原型,通过数值拟合得到了单粒子效应瞬态电流脉冲的表达式,考虑晶体管偏压对瞬态电流的影响,得到修正的瞬态电流表达式,将其带入电路模拟软件HSPICE中进行SRAM存储单元单粒子翻转效应的电路模拟,通过与实际单粒子实验结果的对比,验证了这种模拟方法的实用性。
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| 关 键 词： | 单粒子翻转 双指数模型 器件模拟 部分耗尽绝缘体上硅 静态随机存储器 |
| 收稿时间： | 2010/12/30 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2011/3/18 0:00:00 |
Circuit simulation of SEU for SOI CMOS SRAM cells |
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| LI Zhen-tao,YU Fang,LIU Zhong-li,ZHAO Kai,GAO Jian-tou,YANG Bo and LI Ning.Circuit simulation of SEU for SOI CMOS SRAM cells[J].Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology,2011,9(6):774-777. |
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| Authors: | LI Zhen-tao YU Fang LIU Zhong-li ZHAO Kai GAO Jian-tou YANG Bo and LI Ning |
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| Affiliation: | LI Zhen-tao 1,YU Fang1,2,LIU Zhong-li 1,ZHAO Kai1,GAO Jian-tou1,YANG Bo1,LI Ning1,2(1.Institute of Semiconductors,CAS,Beijing 100083,China,2.State Key Laboratory of Transducer Technology,Beijing 100190,China) |
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| Abstract: | For the purpose of simulating the Single Event Upset(SEU) of a Static Random Access Memory(SRAM) cell fast and simply,a classical double exponential expression of a transient current pulse in a single event effect is confirmed by numerical optimization of results from 2-D device numerical simulation.An amended equation that gives the relationship between transistor bias voltage and transient current is derived by theoretical analysis.This equation can be used to simulate the SEU of a SRAM cell in the circui... |
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| Keywords: | Single Event Upset double exponential model circuit simulation partially depleted Silicon On Insulator Static Random Access Memory |
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