μc-SiC/poly-Si异质结太阳能电池制造中的一些技术分析 |
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引用本文: | 林鸿生.μc-SiC/poly-Si异质结太阳能电池制造中的一些技术分析[J].光电子技术,1998,18(1):74-79. |
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作者姓名: | 林鸿生 |
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作者单位: | 中国科学技术大学物理系!合肥230026 |
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摘 要: | 应用计算机数值模拟方法计算n+(μc-SiC:H)/p(poly-Si)及n+(μc-SiC∶H)/i(a-SiC∶H)/p(poly-Si)异质结太阳能电池中的电场强度分布,说明μc-SiC/poly-Si异质结电池制造中μc-SiC:H膜厚选择,进而对嵌入a-SiC∶H薄层的μc-SiC/poly-Si异质结太阳能电池设计进行分析,包括a-SiC∶H薄层N型掺杂效应,最后讨论μc-SiC/poly-Si太阳能电池稳定性。
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关 键 词: | 异质结太阳能电池 Newton-Raphson解法 a-SiC∶H隙态密度分布 载流子收集 |
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