（110）晶向衬底提高pMOS性能

Intel和另一家顶级器件制造商正在研究使用（110）晶向的硅片衬底来提高pMOS的迁移率。在2008年的国际电子器件会议（IEDM）上，Intel的32nm器件经理PaulPackan表示：Intel在（110）晶向衬底上制造的45nm晶体管，得到了与预想一致的结果，pMOS驱动电流达到了1．2mA／pm，同时，nMOS驱动电流并未退化很多。