MOCVD技术沉积氮化钛在超大规模集成电路中的应用 |
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引用本文: | 丁卫华.MOCVD技术沉积氮化钛在超大规模集成电路中的应用[J].集成电路应用,2007(10):55-56. |
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作者姓名: | 丁卫华 |
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作者单位: | 应用材料(中国)有限公司 |
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摘 要: | 氮化钛作为一种常见的阻挡层和粘合层材料在集成电路中广泛应用。在0.18微米及以下的逻辑集成电路电路制造中,MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)技术沉积氮化汰用做钨填充的粘合层和阻挡层是不可或缺的。随着超大规模集成电路向65纳米或者更高端发展以及铜制程在高端逻辑芯片制造的普及,钨填充技术在金属连线上的应用逐渐淡出,但是在逻辑电路硅化物接触层的应用上,MOCVD沉积氮化钛加上钨填充仍然是不可替代的技术。
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关 键 词: | 超大规模集成电路 MOCVD技术 氮化钛 应用 沉积 逻辑集成电路 填充技术 芯片制造 |
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