| 1.3 μm InGaAsSb/GaAsSb量子阱激光器有源区结构设计 |
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| 引用本文： | 何斌太,刘国军,魏志鹏,刘超,安宁,刘鹏程,王旭.1.3 μm InGaAsSb/GaAsSb量子阱激光器有源区结构设计[J].激光与红外,2015,45(5):505-508. |
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| 作者姓名： | 何斌太 刘国军 魏志鹏 刘超 安宁 刘鹏程 王旭 |
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| 作者单位： | 长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室，吉林 长春 130022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(No.61006039,No.61370043)；吉林省科技发展计划（No.20121816，No.201201116）；高功率半导体激光国家重点实验室基金（No.9140C310101120C031115）资助课题 |
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| 摘 要： | 为了研制满足光纤通讯需求的高性能半导体激光器，对压应变InGaAsSb/GaAsSb量子阱激光器有源区进行了研究。根据应变量子阱能带理论、固体模型理论和克龙尼克-潘纳模型，确定了激射波长与量子阱材料组分及阱宽的关系。基于Lastip软件建立了条宽为50 μm、腔长为800 μm的半导体激光器仿真模型，模拟器件的输出特性，讨论了量子阱个数对器件光电特性的影响。结果表明：当量子阱组分为In0.44Ga0.56As0.92Sb0.08/GaAs0.92Sb0.08、阱宽为9 nm、量子阱个数为2时，器件的性能达到最佳，阈值电流为48 mA，斜率效率为0.76 W/A。
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| 关 键 词： | 半导体激光器 InGaAsSb/GaAsSb 量子阱 有源区 |
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