离子束增强沉积氮化硅膜的分析 |
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引用本文: | 陈元儒,徐春同,等.离子束增强沉积氮化硅膜的分析[J].薄膜科学与技术,1991,4(4):1-7. |
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作者姓名: | 陈元儒 徐春同 |
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摘 要: | 在电子束蒸发沉积硅的同时用25KeV氮离子进行轰击,在GH37合金表面合成Si3N4膜,用IR、XRS、XRD、TEM和AES-PRO对膜的组分和结构进行综合分析,表明离子束增强沉积(IBED)积成的薄膜之化学式为Si3N4,膜的主要结构是无定形态,局部区域存在少量Si3N4、Si2N4O、SiO2晶体和多晶Si。膜和基体之间存在一个大约50nm的界面混合区。
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关 键 词: | 氮化硅 离子束增强沉积 薄膜分析 |
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