| 高性能背照式GaN/AlGaN p-i-n紫外探测器的制备与性能 |
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| 引用本文： | 陈亮,张燕,陈俊,郭丽伟,李向阳,龚海梅.高性能背照式GaN/AlGaN p-i-n紫外探测器的制备与性能[J].红外与激光工程,2007,36(6):928-931. |
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| 作者姓名： | 陈亮 张燕 陈俊 郭丽伟 李向阳 龚海梅 |
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| 作者单位： | 陈亮（中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083）;张燕（中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083）;陈俊（中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083）;郭丽伟（中国科学院物理研究所,北京,100083）;李向阳（中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083）;龚海梅（中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083） |
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| 摘 要： | 研究了GaN/AlGaN异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。GaN/AlGaN外延材料采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法生长，衬底为双面抛光的蓝宝石，缓冲层为AlN，n型层采用厚度为0.8 μm的Si掺杂Al0.3Ga0.7N形成窗口层，i型层为0.18 μm的非故意掺杂的GaN，p型层为0.15 μm的Mg掺杂GaN。采用Cl2、Ar和BCl3感应耦合等离子体刻蚀定义台面，光敏面面积为1.96×10-3 cm2。可见盲紫外探测器展示了窄的紫外响应波段，响应区域为310~365 nm，在360 nm处响应率最大，为0.21 A/W，在考虑表面反射时，内量子效率达到82％；优质因子R0A为2.00×108 Ω·cm2，对应的探测率D*=2.31×1013 cm·Hz1/2·W-1；且零偏压下的暗电流为5.20×10-13 A。
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| 关 键 词： | GaN/AlGaN p-i-n 紫外探测器 响应光谱 |
| 文章编号： | 1007-2276（2007）06-0928-04 |
| 收稿时间： | 2007-02-08 |
| 修稿时间： | 2007-04-26 |
Fabrication and characterization of back-illuminated GaN/AlGaN p-i-n UV detectors with high performance |
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| CHEN Liang,ZHANG Yan,CHEN Jun,GUO Li-wei,LI Xiang-yang,GONG Hai-mei.Fabrication and characterization of back-illuminated GaN/AlGaN p-i-n UV detectors with high performance[J].Infrared and Laser Engineering,2007,36(6):928-931. |
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| Authors: | CHEN Liang ZHANG Yan CHEN Jun GUO Li-wei LI Xiang-yang GONG Hai-mei |
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| Affiliation: | 1.State Key Laboratories of Transducer Technology, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China；2.Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China |
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| Abstract: | 作者简介：龚海梅(1965-),男,江苏宿迁人,研究员,博士,主要从事航天遥感红外光电传感器的研制,以及红外、紫外焦平面等新型探测器组件及其抗辐射机理与可靠性技术研究.Email:ghmhxnk@online.sh.cn |
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| Keywords: | GaN/A1GaN p-i-n Ultraviolet detector Spectral responsivity |
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