| 掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜应变系数的影响 |
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| 引用本文： | 揣荣岩,刘晓为,霍明学,宋明浩,王喜莲,潘慧艳.掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜应变系数的影响[J].半导体学报,2006,27(7). |
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| 作者姓名： | 揣荣岩 刘晓为 霍明学 宋明浩 王喜莲 潘慧艳 |
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| 作者单位： | 1. 哈尔滨工业大学MEMS中心,哈尔滨,150001;沈阳工业大学信息科学与工程学院,沈阳,110023
2. 哈尔滨工业大学MEMS中心,哈尔滨,150001 |
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| 摘 要： | 为有效利用多晶硅纳米薄膜研制MEMS压阻器件,本文对LPCVD多晶硅纳米薄膜应变系数与掺硼浓度的关系进行了研究,并利用扫描电镜和X射线衍射实验分析了薄膜的结构特点.结果表明:在重掺杂情况下,纳米薄膜的应变系数明显大于相同掺杂浓度下单晶硅的应变系数,而且掺杂浓度在2.5×1020cm-3左右时,应变系数具有随掺杂浓度升高而增大的趋势.对这种实验结果依据隧道效应原理进行了理论解释,提出了多晶硅压阻特性的修正模型.
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| 关 键 词： | 多晶硅 纳米薄膜 压阻特性 隧道效应 应变系数 |
Influence of Doping Level on the Gauge Factor of Polysilicon Nano-Film |
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| Chuai Rongyan,Liu Xiaowei,Huo Mingxue,Song Minghao,Wang Xilian,Pan Huiyan.Influence of Doping Level on the Gauge Factor of Polysilicon Nano-Film[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(7). |
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| Authors: | Chuai Rongyan Liu Xiaowei Huo Mingxue Song Minghao Wang Xilian Pan Huiyan |
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