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| 高阻ITO基板上电化学沉积ZnO薄膜的研究 | |
| 引用本文： | 侯旭峰,荆海,谷长栋,张会平.高阻ITO基板上电化学沉积ZnO薄膜的研究[J].液晶与显示,2007,22(1):15-20. |
| 作者姓名： | 侯旭峰 荆海 谷长栋 张会平 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;中国科学院,研究生院,北京,100039;吉林北方彩晶数码电子有限公司,吉林,长春,130033 2. 中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130022 3. 吉林大学,材料科学与工程学院,吉林大学汽车材料教育部重点实验室,吉林,长春,130025 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家高技术研究发展计划(863计划) |
| 摘 要： | 利用电化学沉积法,以65±1℃的0.1mol/LZn(NO3)2水溶液作为电解质溶液,在方块电阻为118Ω/□的氧化铟锡(ITO)玻璃基板上制备了ZnO薄膜。利用扫描电镜观察了ZnO薄膜表面形貌,结果表明随着电极电势的降低或沉积时间的增加,ZnO薄膜表面颗粒的六方形结构逐渐明显。利用X射线衍射技术分析了阴极电势和沉积时间对ZnO薄膜择优取向的影响,结果表明ZnO薄膜的(002)择优取向是随电极电势的下降而逐渐减弱的,而且随沉积时间的增加(002)择优取向也逐渐减弱。透射光谱测量表明,实验所获得的ZnO薄膜在可见光范围内是透光的,平均透过率高达80%～90%,不同阴极电势下的禁带宽度均为3.5eV左右,且在阴极电势为-2.5V时,禁带宽度随沉积时间的增加而逐渐减小。 |
| 关 键 词： | ZnO薄膜 电化学沉积 ITO基板 禁带宽度 |
| 文章编号： | 1007-2780（2007）01-0015-06 |
| 收稿时间： | 2006-08-07 |
| 修稿时间： | 2006-08-072006-09-03 |
Electrochemical Deposition ZnO Thin Film on High Sheet Resistance ITO Glass Substrate |
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| HOU Xu-feng,JING Hai,GU Chang-dong,ZHANG Hui-ping.Electrochemical Deposition ZnO Thin Film on High Sheet Resistance ITO Glass Substrate[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2007,22(1):15-20. | |
| Authors: | HOU Xu-feng JING Hai GU Chang-dong ZHANG Hui-ping |
| Abstract: | |
| Keywords: | ZnO thin film electrochemical deposition ITO substrate bandgap energy |
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